4H-SiC相关论文
阐述4H-SiC晶圆的Si面上通过CVD淀积与低温热氧化生长的双层栅氧化物结构，在高温氮气环境下可降低4H-SiC/SiO2界面的高密度界面缺陷......
功率半导体领域高速发展和迭代,对其核心的功率半导体器件提出了更高性能、更高稳定性的要求。作为功率半导体器件的一员,碳化硅功......
阐述4H-SiC同质外延生长过程中出现的三角形缺陷。基于三角形缺陷的成核原理，对外延层结构和生长参数进行改进，从而在4H-SiC衬底与外......
提出了一种基于双极性扩散方程的PIN二极管的一维物理计算模型。该模型主要针对PIN二极管的正向温度特性研究,考虑了载流子扩散系......
硅基功率器件在过去几十年里快速发展,产品不断迭代,但是这些器件正在接近由硅的基本材料所限定的性能极限,所以迫切需要一种新型......
4H碳化硅（4H-SiC）作为一种宽禁带半导体材料,因具有高热导率、高电子饱和速率、高临界电场等优秀的物理和电气特性,使得4H-SiC成为高......
碳化硅（SiC）具有宽禁带、高击穿电场、高热导率和高饱和漂移速度等特性,是适宜制备功率器件的优异半导体材料。Si C MOSFET器件是适......
随着轨道交通、电动汽车、脉冲功率和超高压直流输电等技术的不断进步,电力电子系统对大功率半导体开关器件的需求十分紧迫。依托......
更高阻断电压、更高功率密度、更高转化效率是电力电子器件技术发展持续追求的目标。相比于传统的硅（Si）材料,4H晶型碳化硅（4H-Si C）材......
3D-SiC和2D-MoS2的组合,结合了 2D-MoS2的高p型电导率、低开启电压以及SiC的宽带隙和高击穿电场,使异质结在光电探测器和光催化领......
随着锁模技术和啁啾激光脉冲放大技术的不断发展,飞秒激光这一奇特的光束走入人类社会,为人类探索自然规律,发展人类技术文明开辟......
在原子级的厚度下,石墨烯展现出优异的机械性能以及超润滑性质,这使其非常适合对涂层厚度以及性能有很高要求的纳米机电系统。基底......
随着电力电子以及信息和通信技术行业的发展,传统硅基功率器件的性能已经不能满足现今高功率密度的应用要求。近年来,碳化硅材料因......
“十四五”规划提名集成电路,重点攻关碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体。相比于Si和Ga As,碳化硅（SiC）材料同时具有宽的禁带（3～3.3e V）、......
本文采用多种方法对不同颜色的合成碳硅石的宝石学特征进行了研究,并与钻石及其仿制品?无色蓝宝石和立方氧化锆进行了对比,总结了......
衬底减薄可以大幅提升SiC结势垒肖特基(JBS)二极管的电流密度,但减薄工艺和减薄引入的激光退火工艺仍面临巨大挑战.使用不同型号的......
采用KrF准分子激光辐照4H-SiC制备石墨烯层,从4H-SiC晶面取向对石墨烯生长质量影响的角度开展研究工作,分析激光能量密度、脉冲数......
Understanding detailed avalanche mechanisms is critical for design optimization of avalanche photodiodes (APDs). In this......
The current-voltage (I-V) characteristics of 4H-SiC metal-semiconductor-metal (MSM) ultraviolet photodetector with diffe......
MSM结构探测器具有结构与工艺简单、制备成本低、量子效率高等特点而在探测器应用中得到重视.本文制备了采用镍作为肖特基接触形成......
4H-SiC功率器件作为一种宽禁带半导体器件,凭借突出的材料优势具有耐压高导通电阻低散热好等优势。近年来随着器件的逐步商用,器件......
为了获得4H-SiC横向BJT器件高耐压下的高电流增益,文中通过降低漂移区的掺杂浓度(NDRI),使得漂移区内靠近基极方向的电场强度降低,......
第三代宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料,由于其相比于第一代半导体硅(Si)材料有热导率高、临界击穿电场高、电子饱和漂移速度大等特点......
随着人类认知领域的不断拓展,宇宙空间逐渐成为国内外科学家们关注的重点,而空间粒子探测已经成为人类认识、研究和探索太空的基本......
碳化硅(SiC)具有宽禁带、高热导率、高载流子迁移率、高击穿电场等性质,被认为是制造光电子器件、大功率电力电子器件、固态微波功......
现今,在核能,冶金,化工,航空航天等很多行业中电子设备在运行过程必须面临高温工作环境。高温工作环境对电子设备稳定性提出了较高......
以SiC、GaN等第三代半导体材料为基础的结型日盲紫外探测器件具有高量子效率,高响应速度以及高紫外可见比等优势,在军事及民用领域......
碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的代表,具有宽禁带、高击穿电场、高电子饱和迁移率、高热导率等优良的物理化学特性,是制备高压、......
采用化学气相沉积法在6英寸(1英寸= 2.54 cm)4°偏角4H-SiC衬底上进行快速同质外延生长,通过研究Si/H2比(所用气源摩尔比)与生长速......
与传统的Si PiN功率二极管相比,4H-SiC PiN功率二极管在击穿电压、开关速度、电流密度以及结温承受能力等方面更具有优势。然而,4H......
传统Si基功率器件受制于材料特性,已无法满足高速轨道交通、新能源汽车、航空航天等领域的高压、高温、抗辐射等要求。由于SiC材料......
高功率脉冲技术在国防军事、航空航天、重工业等领域有着广泛的应用,功率开关在功率脉冲系统中担任着重要的角色。光导开关与其他......
脉冲功率技术的不断进步以及其应用领域的拓展,使得脉冲功率系统对脉冲功率开关的要求越来越高。碳化硅门极可关断晶闸管(SiC gate......
作为第三代半导体材料的典型代表,碳化硅（SiC）材料具有抗击穿能力强、耐辐照及热稳定性好等诸多优点,被广泛应用到高功率、高温、抗......
第三代半导体材料又称宽禁带半导体材料,因其独特优良的性能被广泛的应用在军事、医疗、照明等众多领域。作为第三代半导体材料的......
近些年,第三代半导体材料SiC受到研究人员广泛地关注,这是由于SiC相比于Si具有更宽的禁带宽度、更高的临界击穿电场、更高的电子饱......
本文从碳化硅光导开关的发展与应用出发,分析了垂直型碳化硅光导开关器件的优劣,针对垂直型碳化硅光导开关目前存在对衬底结晶质量......
宽禁带SiC以其优异的特性,成为制造超高压晶闸管的首选材料。SiC光触发晶闸管(LTT)因驱动电路简单、抗电磁干扰能力强,成为超高压......
随着对高温环境传感探测的需求日益旺盛,SiC双极型集成电路由于出色的耐高温性能,越来越受到人们的关注,作为其中的核心器件,低压S......
随着电力电子行业的发展,传统硅基器件逐渐不能满足越发严苛的应用要求,碳化硅(Si C)材料由于其优越的材料性质受到广泛的关注。在......
与传统半导体Si、Ga As相比,第三代半导体Si C拥有禁带宽度大、载流子饱和转移速率高、导热系数高、击穿电场强度高以及优异的物化......
In this paper,a 4 H-Si C DMOSFET with a source-contacted dummy gate(DG-MOSFET)is proposed and analyzed through Sentaurus......
Thermo-Mechanical Simulation of Self-Heating of a High-Power Diode Made of Ti3SiC2 (MAX) Phase-on-4H
The fact that traditional semiconductors have almost reached their performance limits in high power applications,is lead......
